MOSFET의 전류 방향

MOSFET은 BJT와 조금 다른 특성을 가지고 있다. 기본적으로 BJT가 전류구동 방식이고 MOSFET이 전압구동 방식이다. 그리고, MOSFET에서 Intrinsic Body Diode가 있다. Body Diode는 MOSFET 구조상 어쩔 수 없이 생기는 것이다.

MOSFET은 양방향으로 도통된다. 즉, Gate에 전압이 걸리면 Drain-Source 방향으로 전류가 흐르고 또한 Source-Drain 방향으로도 전류가 흐른다. Gate에 전압이 인가 되지 않아도 Body Diode에 의해 Source-Drain으로 전류가 흐르지만 이 때는 Diode Forward 전압이 걸리고 전력 손실이 크게 발생한다. 하지만 Gate에 전압이 인가되면 Source-Drain이 도통 되어 Turn-on 저항만이 걸린다. 여기서, N-channel MOSFET에서는 Gate-Source 전압이 Threshold 전압보다 높아야 한다.

이 특성을 이용하여 다이오드 대신 MOSFET을 사용할 수 있다. (참고)