MOSFET을 다이오드 대신 사용하는 방법

역결선 보호를 위해 다이오드를 사용한다. 하지만, 대전류 회로에서는 다이오드의 Forward 전압에 의해 전력 손실이 크고 그에 따라 발열도 심해진다.

 

Schottky 다이오드를 사용하면 Forward 전압이 작지만 그래도 전력 손실은 많이 발생한다. 

 

대전류 회로에서 MOSFET을 다음 회로와 같이 사용하면 전력 손실을 크게 줄일 수 있다.

 

 

Forward 일 때는 P-channel MOSFET의 Source-Gate에 걸리는 전압이 플러스이기 때문에 MOSFET이 도통하여 전류가 흐른다. Reverse 일 때는 Source-Gate에 걸리는 전압이 마이너스이고 MOSFET이 차단된다.

 

MOSFET을 사용하면 Drain-Source의 Turn-on 저항에 의해 소비전력이 발생하기 때문에 다이오드에 비해 훨씬 작은 열이 발생한다.

 

전압이 높은 회로에서는 Source-Gate 사이에 15V 정도의 제너 다이오드를 사용하여 MOSFET을 보호해야 한다.

 

N-channel MOSFET을 사용할 때는 배터리 마이너스 쪽에 달아야 한다.