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전자공학

반도체 미세 공정 역사

by 무에서 2018. 2. 4.
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반도체 미세 공정은 1971년 이후 46년 동안 1,000배 향상 되었다.

 

공정  년도  적용 칩 
 10um 1971  Intel 4004 
 6um 1974  Intel 8080 
3um  1975  Intel 8085 
1.5um  1982  Intel 80286 
1um  1985  Intel 80386 
0.8um  1989  Intel 486 
0.6um  1994  Intel 486DX4 
 350nm 1995  Intel Pentium Pro 
250nm  1997  Pentium MMX Tillamook 
 180nm 1999  Intel Coppermine-E 
130nm  2001  Intel Pentium III 
 90nm 2004   Intel Pentium 4 Prescott
 65nm 2006   Intel Core
45nm  2008   Intel i7
32nm  2010   Intel i7-970
22nm  2012   Intel i7 Ivy Bridge
14nm  2014   Intel i7 Broadwell
10nm  2017   Samsung Exynos 9

 

☞ 7nm 공정

 

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