Power MOSFET과 IGBT의 차이

Power MOSFET과 IGBT의 차이는 다음과 같다. 

	Power MOSFET	IGBT
전압	1 kV 이하	1 kV 이상
전류	500 A 이상	500 A 이상
게이트 전압	3~10 V	4 ~ 8 V
출력 임피던스	높음	낮음
스위칭 속도	빠름 (ns)	느림
가격	낮음	높음

MOSFET은 콜렉터와 에미터 사이에 Turn-on 저항이 있지만 IGBT는 BJT와 같이 Saturation 전압인 Turn-on 전압이 있다.

보통 100V 이상의 모터 드라이브에는 IGBT를 많이 사용하고 100V 이하의 모터 드라이브에는 MOSFET을 많이 사용한다. 100V 이상인 SMPS에서는 MOSFET을 많이 사용한다.