전자공학
반도체 미세 공정 역사
무에서
2018. 2. 4. 02:09
반응형
반도체 미세 공정은 1971년 이후 46년 동안 1,000배 향상 되었다.
| 공정 | 년도 | 적용 칩 |
| 10um | 1971 | Intel 4004 |
| 6um | 1974 | Intel 8080 |
| 3um | 1975 | Intel 8085 |
| 1.5um | 1982 | Intel 80286 |
| 1um | 1985 | Intel 80386 |
| 0.8um | 1989 | Intel 486 |
| 0.6um | 1994 | Intel 486DX4 |
| 350nm | 1995 | Intel Pentium Pro |
| 250nm | 1997 | Pentium MMX Tillamook |
| 180nm | 1999 | Intel Coppermine-E |
| 130nm | 2001 | Intel Pentium III |
| 90nm | 2004 | Intel Pentium 4 Prescott |
| 65nm | 2006 | Intel Core |
| 45nm | 2008 | Intel i7 |
| 32nm | 2010 | Intel i7-970 |
| 22nm | 2012 | Intel i7 Ivy Bridge |
| 14nm | 2014 | Intel i7 Broadwell |
| 10nm | 2017 | Samsung Exynos 9 |
☞ 7nm 공정
반응형